ROHM QH8MA3 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7 A 2.5 W, 8-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
264-3774
Herst. Teile-Nr.:
QH8MA3TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

QH8MA3

Gehäusegröße

TSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.2nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-free lead plating

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der mittlere Leistungs-MOSFET von ROHM ist für Schaltnetzteile geeignet, hat ein kleines oberflächenmontierbares Gehäuse, eine Pb-freie Bleiplattierung und ist RoHS-konform.

Geringer Widerstand

Halogenfrei

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