ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 235-2693
- Herst. Teile-Nr.:
- R6511END3TL1
- Marke:
- ROHM
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- 235-2693
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- R6511END3TL1
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 11 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 125 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 10.4 mm | |
| Länge | 6.4 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 400 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 32 nC | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 11 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 125 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 10.4 mm | ||
Länge 6.4 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 400 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 32 nC | ||
Breite 2.4 mm | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant