ROHM N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,6 A, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
235-2697
Herst. Teile-Nr.:
R8002KNXC7G
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,6 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Die Rohm R8xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf hohem Wirkungsgrad legen. Sie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch Hochgeschwindigkeitsschalten. Hochgeschwindigkeitsschalten ermöglicht es, zu einer höheren Effizienz in PFC- und LLC-Stromkreisen beizutragen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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