Infineon IPD42DP15LMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 235-4859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD42DP15LMATMA1
- Marke:
- Infineon
2368 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
1,81 €
(ohne MwSt.)
2,15 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
2 - 18 | 1,81 € | 3,62 € |
20 - 48 | 1,63 € | 3,26 € |
50 - 98 | 1,52 € | 3,04 € |
100 - 198 | 1,41 € | 2,82 € |
200 + | 1,305 € | 2,61 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 235-4859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD42DP15LMATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs 150 V im DPAK-Gehäuse stellt die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in Logikpegel mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen
Robuste, zuverlässige Leistung
Erhöhte Sicherheit der Versorgung
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen
Robuste, zuverlässige Leistung
Erhöhte Sicherheit der Versorgung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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