Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 9 A 83 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
235-4859
Herst. Teile-Nr.:
IPD42DP15LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

420mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-43nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs 150 V im DPAK-Gehäuse stellt die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in Logikpegel mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen

SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen

Robuste, zuverlässige Leistung

Erhöhte Sicherheit der Versorgung

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