Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A IPD60R3K3C6ATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 260-5140
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R3K3C6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A IPD60R3K3C6ATMA1 TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

5,44 €

(ohne MwSt.)

6,47 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

4.560 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,544 €	5,44 €
100 - 240	0,516 €	5,16 €
250 - 490	0,494 €	4,94 €
500 - 990	0,474 €	4,74 €
1000 +	0,272 €	2,72 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 260-5140
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R3K3C6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.7A
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Channel-Modus	P
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Channel-Modus P
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD60R3K3C6ATMA1

Der Infineon CoolMOS C6 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Reduzierte Gate-Ladung (Q g)

Gute Gehäuse-Dioden-Robustheit

Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A IPD60R3K3C6ATMA1 TO-252

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Links