Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A IPD78CN10NGATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 260-5148
Herst. Teile-Nr.:: IPD78CN10NGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A IPD78CN10NGATMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:: 260-5148
Herst. Teile-Nr.:: IPD78CN10NGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	P
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus P
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD78CN10NGATMA1

Der N-Kanal-OptiMOS-MOSFET-Transistor von Infineon bietet eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.

N-Kanal, normaler Pegel

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A IPD78CN10NGATMA1 TO-252

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