Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 2.6 A TO-252

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

4,44 €

(ohne MwSt.)

5,28 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.740 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 900,444 €4,44 €
100 - 2400,424 €4,24 €
250 - 4900,377 €3,77 €
500 - 9900,329 €3,29 €
1000 +0,20 €2,00 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5136
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R3K0CEAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Sehr hohe Schaltflexibilität

Einfach zu bedienen oder zu fahren

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.