Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252

RS Best.-Nr.:: 260-5139
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R3K3C6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252

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RS Best.-Nr.:: 260-5139
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R3K3C6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.7A
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Channel-Modus	P
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Channel-Modus P
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD60R3K3C6ATMA1

Der Infineon CoolMOS C6 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Reduzierte Gate-Ladung (Q g)

Gute Gehäuse-Dioden-Robustheit

Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252

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