Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4865
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- ISC027N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.24mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 91nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.24mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon ISC-Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 245 W maximale Verlustleistung – ISC027N10NM6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Motorantriebsumgebungen entwickelt wurde und einen robusten Betrieb über einen breiten Temperaturbereich und eine Oberflächenmontage bietet, die für kompakte Baugruppen geeignet ist. Er bietet geringe Leitungsverluste und eine hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen Spannungsblockierung und Gate-Steuerung entscheidend sind.
Merkmale und Vorteile:
• 100-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 192 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Rds(on) von 2,24 mΩ minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• Die Verlustleistung von 245 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 91 nC typische Gate-Ladung gleicht Antriebsanforderungen und Schaltgeschwindigkeit aus
• Die Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht einen breiten Gate-Antriebsbereich
• 192 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Rds(on) von 2,24 mΩ minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• Die Verlustleistung von 245 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 91 nC typische Gate-Ladung gleicht Antriebsanforderungen und Schaltgeschwindigkeit aus
• Die Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht einen breiten Gate-Antriebsbereich
Anwendungsbereich
• Geeignet als 100-V-, 192-A-Leistungs-MOSFET für Motorantriebe
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in kompakten Systemen
• Wird mit Batteriemanagement- und Traktionsumrichterstufen verwendet
• Kann für Leistungsstufen verwendet werden, die niedrige Rds(on)-MOSFETs mit einer Verlustleistung von 245 W erfordern
• Geeignet für Hochtemperatur-MOSFET-Umgebungen von -55 °C bis 175 °C
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in kompakten Systemen
• Wird mit Batteriemanagement- und Traktionsumrichterstufen verwendet
• Kann für Leistungsstufen verwendet werden, die niedrige Rds(on)-MOSFETs mit einer Verlustleistung von 245 W erfordern
• Geeignet für Hochtemperatur-MOSFET-Umgebungen von -55 °C bis 175 °C
Welche Befestigungsart wird für diese Komponente verwendet?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Montage auf Leiterplattenebene konzipiert ist.
Welche thermischen Extreme kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?
Der Betriebsbereich reicht von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen.
Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung?
Die Durchlassspannung Vf ist unter Leitungsbedingungen auf 1 V angegeben.
Wie viele Pins bietet dieses Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?
Das Gerät verfügt über eine 8-polige Konfiguration für thermische und elektrische Anschlüsse.