Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 238 A 125 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 233-4395
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 238A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 238A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS 6 Leistungs-MOSFET 40 V-Familie hat einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) und ist für synchrone Anwendungen optimiert.
Höhere Betriebstemperatur bis 175 °C.
Überragende Wärmeleistung
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