Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 288 A 1.89 kW, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 233-4392
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 288A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.89kW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 1.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 288A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.89kW | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 1.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der ISC-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 288 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISC011N06LM5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom- und Hochleistungsanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und eignet sich für anspruchsvolle elektronische Systeme, die ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit robuster Drain-to-Source-Fähigkeit und Gate-Spannungstoleranz erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassfestigkeit von 60 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 288 A Dauerstrom unterstützt die Leitung hoher Lasten
• 1.15 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1,89 kW Verlustleistung ermöglichen eine hohe Verarbeitung
• 170 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht breite Gate-Antriebsspanne
• 288 A Dauerstrom unterstützt die Leitung hoher Lasten
• 1.15 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1,89 kW Verlustleistung ermöglichen eine hohe Verarbeitung
• 170 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht breite Gate-Antriebsspanne
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstromwandler und Stromversorgungen
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Leitfähigkeit erfordern
• Ideal für DC/DC-Stufen in Hochleistungssystemen
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Leistungsstufen auf kompakten Leiterplatten
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Leitfähigkeit erfordern
• Ideal für DC/DC-Stufen in Hochleistungssystemen
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Leistungsstufen auf kompakten Leiterplatten
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Es funktioniert von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in extremen thermischen Umgebungen.
Welche Befestigungsart wird für die Leiterplattenmontage empfohlen?
Es wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen ist.
Wie viele Stifte verfügt das Gehäuse für Anschlüsse?
Das Gerät verwendet eine 8-polige Konfiguration für Gate-, Drain- und Quellanschlüsse.
Welcher Kanaltyp und welcher Modus bestimmen das Leitverhalten?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus für Standard-MOS-Schaltung arbeitet.
Welchen physischen Platzbedarf sollten Entwickler auf der Leiterplatte zulassen?
Das Gehäuse misst 6,1 x 5,35 x 1,2 mm und sollte mit einem geeigneten Lötanschlussbereich versehen werden.