Infineon ISZ080N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
235-4883
Herst. Teile-Nr.:
ISZ080N10NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

ISZ080N10

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.04mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.4mm

Höhe

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Geringere und weichere Rückgewinnungsladung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-konform

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Umweltfreundlich

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