Infineon ISZ230N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4885
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 235-4885
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISZ230N10 | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.04mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISZ230N10 | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.04mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich
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