Infineon ISZ230N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
235-4884
Herst. Teile-Nr.:
ISZ230N10NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

ISZ230N10

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.04mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.4mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen.

Geringere und weichere Rückgewinnungsladung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-konform

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Umweltfreundlich

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