Toshiba T2N7002AK N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 236-3585
- Herst. Teile-Nr.:
- T2N7002AK,LM(T
- Marke:
- Toshiba
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*Richtpreis
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- T2N7002AK,LM(T
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | T2N7002AK | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | -0.87V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.9mm | |
| Länge | 2.4mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie T2N7002AK | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Durchlassspannung Vf -0.87V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.9mm | ||
Länge 2.4mm | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen eingesetzt.
Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.