Vishay SIB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 4.5 A 1 W, 6-Pin SIB4317EDK-T1-GE3 PowerPAK SC-75

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Herst. Teile-Nr.:
SIB4317EDK-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SIB

Gehäusegröße

PowerPAK SC-75

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.065Ω

Channel-Modus

P

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

1.6 mm

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von –4,5 A. Er wird für tragbare Geräte wie Smartphones, Tablet-PCs und mobile Computer verwendet.

Typischer ESD-Schutz (MOSFET): 1500 V(HBM)

100 % Rg geprüft

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