Vishay SIH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 850 V / 20 A 208 W TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 239-5377
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG24N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHG24N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | SIH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.17Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie SIH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.17Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay hat einen Ablaufstrom von 20 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.
Niedrige Leistungsanzeige (FOM) Ron x Qg Niedrige
effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Avalanche-Energie-Nennwert (UIS)
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