Vishay SIH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 850 V / 20 A 208 W TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
239-5377P
Herst. Teile-Nr.:
SIHG24N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

SIH

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.17Ω

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay hat einen Ablaufstrom von 20 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.

Niedrige Leistungsanzeige (FOM) Ron x Qg Niedrige

effektive Kapazität (Co(er))

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Avalanche-Energie-Nennwert (UIS)

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