Vishay SQJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 210 A 395 W, 8-Pin SQJ182EP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L

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Herst. Teile-Nr.:
SQJ182EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SQJ

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.005Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

395W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 210 A.

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-geprüft

Qgd/Qgs-Verhältnis < 1 optimiert Schaltereigenschaften

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