Vishay SQJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 210 A 395 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 239-5409
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ182EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- SQJ182EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 210A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SQJ | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.005Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SQJ | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.005Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 210 A.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Qgd/Qgs-Verhältnis < 1 optimiert Schaltereigenschaften
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