Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

2.550,00 €

(ohne MwSt.)

3.030,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 13. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,85 €2.550,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
256-7418
Herst. Teile-Nr.:
SIJ482DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor 80 V (D-S) 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) für SMD-Montage und seine Anwendungen sind DC, DC Primärseitenschalter, synchroner Gleichrichter, Hochstromschaltung.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Kann mit 5-V-Gate-Antrieb betrieben werden

Verwandte Links