Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 6.6 A 19 W, 6-Pin SIA108DJ-T1-GE3 PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
256-7401
Herst. Teile-Nr.:
SIA108DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.024Ω

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-80-V-MOSFET von Vishay Semiconductor (D-S) umfasst Primär-Seitenschalter, DC, DC-Wandler, Motorantriebsschalter, Boost-Wandler, LED-Hinterleuchtung.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss

100 % Rg- und UIS-geprüft

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