Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7429
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
8,33 €
(ohne MwSt.)
9,915 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 2.995 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,666 € | 8,33 € |
| 50 - 95 | 1,536 € | 7,68 € |
| 100 - 245 | 1,492 € | 7,46 € |
| 250 - 995 | 1,46 € | 7,30 € |
| 1000 + | 1,202 € | 6,01 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7429
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Transmosfet N-Kanal von Vishay Semiconductor 30 V, 35,9 A, 8-poliger PowerPAK SO T, R. Seine Anwendungen sind synchrone Gleichrichtung, DC, DC und VRMs mit hoher Leistungsdichte und integrierte DC, DC.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 33 A PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 25 A PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 30 A PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 11.3 A PowerPAK
- Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual 8-Pin PowerPAK SO-8