Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 33 A PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7433
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA18DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIRA18DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor umfasst Anwendungen wie DC, DC-Umwandlung, Batterieschutz, Lastschaltung und DC-Wechselrichter.
TrenchFET gen IV Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad
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