Microchip TN5325 TN5325K1-G N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 150 mA, 3-Pin TO-92

Der Transistor der Microchip TN5325-Serie mit niedrigem Schwellenwert, Anreicherungstyp (normalerweise aus) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.

Niedriger Schwellenwert von max. 2 V
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Anstiegszeit von 15 ns
Ausschaltverzögerung von 25 ns
Abfallzeit von 25 ns