Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10.3 A 28 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
133-9867
Herst. Teile-Nr.:
IPAW60R600CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

28W

Durchlassspannung Vf

900mV

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9mm

Länge

11.3mm

Höhe

16.27mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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