Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 15 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP
- RS Best.-Nr.:
- 911-0702
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA15N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 911-0702
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA15N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 FP | |
| Serie | CoolMOS™ C3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 34 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.85mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220 FP | ||
Serie CoolMOS™ C3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 34 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 63 nC @ 10 V | ||
Breite 4.85mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.65mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 9.83mm | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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