Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 41 W, 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 911-4915
Herst. Teile-Nr.:: SPA11N80C3XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 41 W, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:: 911-4915
Herst. Teile-Nr.:: SPA11N80C3XKSA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	TO-220 FP
Serie	CoolMOS™ C3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	450 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	41 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	64 nC @ 10 V
Länge	10.65mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.85mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.83mm

Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 41 W, 3-Pin TO-220 FP

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Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3

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