Infineon Doppelt CoolMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 60 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4681
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
11,63 €
(ohne MwSt.)
13,84 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 90 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 7.850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,163 € | 11,63 € |
| 100 - 240 | 1,106 € | 11,06 € |
| 250 - 490 | 1,081 € | 10,81 € |
| 500 - 990 | 1,01 € | 10,10 € |
| 1000 + | 0,942 € | 9,42 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4681
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 5.9 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
Verwandte Links
- Infineon Doppelt CoolMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt IPG20 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8