Microchip VP2206 VP2206N3-G P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 643 mA, 3-Pin TO-92

Die Microchip VP2206-Serie sind Anreicherungstransistoren (normalerweise aus), die eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex verwenden. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Diese vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Er hat einen frei von sekundärer Panne
Er benötigt einen Antrieb mit geringer Leistungsaufnahme
Es bietet eine einfache Parallelschaltung, niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Er verfügt über eine hohe Eingangsimpedanz und eine hohe Verstärkung mit ausgezeichneter Temperaturstabilität
Er verfügt über eine integrierte Source-to-Drain-Diode