Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 218 A 120 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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RS Best.-Nr.:
239-8617
Herst. Teile-Nr.:
SiDR626LEP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

218A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0021Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

6.15mm

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei 60 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für Solar-Mikro-Wechselrichter, Motorantriebsschalter und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Die obere Kühlfunktion bietet zusätzlichen Platz für Wärmeübertragung

Sehr niedriger Widerstand

UIS geprüft

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