Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 42.4 A 83 W, 8-Pin SIR576DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
239-8656
Herst. Teile-Nr.:
SIR576DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der mit 150 V arbeitet. Dieser MOSFET wird für Netzteil, Motorantriebssteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Sehr niedriger Widerstand,

UIS-geprüft

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