Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

2.100,00 €

(ohne MwSt.)

2.490,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6.000 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,70 €2.100,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
239-8645
Herst. Teile-Nr.:
SIR512DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der mit 100 V arbeitet. Dieser MOSFET wird für Netzteil, Motorantriebssteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Sehr niedriger Widerstand,

UIS-geprüft

Verwandte Links