Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Entleerung / 130 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-8642
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR182LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 239-8642
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- SIR182LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 130 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 83 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.00315 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 56 nC | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 130 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 83 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.00315 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 56 nC | ||
Breite 5.15 mm | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.
Very low resistance
UIS tested