Vishay SIR4608DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 42,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-0278
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
1,028 €
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1,223 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,028 € | 5,14 € |
| 50 - 245 | 0,966 € | 4,83 € |
| 250 - 495 | 0,872 € | 4,36 € |
| 500 - 1245 | 0,822 € | 4,11 € |
| 1250 + | 0,772 € | 3,86 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 252-0278
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR4608DP-T1-GE3
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 42,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
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