- RS Best.-Nr.:
- 252-0279
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,454 €
(ohne MwSt.)
0,54 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
3000 + | 0,454 € | 1.362,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 252-0279
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 43,4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | PowerPak 1212-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Verwandte Produkte
- Vishay SIR4608LDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43,4 A, 8-Pin...
- Vishay SIS4604DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 44,4 A, 8-Pin...
- Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W,...
- Vishay SIS184LDN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 69,4 A,...
- Vishay SIS4604LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45,9 A, 8-Pin...
- Vishay SIS4608DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35,7 A, 8-Pin...
- Vishay SIS4608LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36,2 A, 8-Pin...
- Vishay Siliconix TrenchFET SiSS12DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40...