Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 410 A 255 W, 4-Pin SQJ186EP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L

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239-8671
Herst. Teile-Nr.:
SQJ186EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

410A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SIDR ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET, der bei 80 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

AEC-Q101-qualifiziert

UIS-geprüft

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