Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 410 A 255 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
239-8670
Herst. Teile-Nr.:
SQJ186EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

410A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

6.15mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SIDR ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET, der bei 80 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

AEC-Q101-qualifiziert

UIS-geprüft

Verwandte Links