Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin SQJQ112E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)

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Herst. Teile-Nr.:
SQJQ112E-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

445A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00253Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

4.9 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei 100 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

AEC-Q101-qualifiziert,

UIS-geprüft,

dünnes Gehäuse

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