Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin SQJQ150E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)

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Herst. Teile-Nr.:
SQJQ150E-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

445A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0019Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

6.15mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SQJQ ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET, der bei 40 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

AEC-Q101-qualifiziert

UIS-geprüft

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