Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 37 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-8640
Herst. Teile-Nr.:
SIJH600E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

37A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

141nC

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

8mm

Breite

7.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei 60 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für Batteriemanagement, Motorantriebssteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Vollständig bleifreies Gerät

Niedriger Schalt- und Leistungsverlust

UIS-geprüft

Kleine Abmessungen

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