STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 320 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 240-0614
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA32N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
4,50 €
(ohne MwSt.)
5,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 71 Einheit(en) mit Versand ab 29. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | 4,50 € |
| 2 + | 4,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 240-0614
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA32N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40.92mm | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie STW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40.92mm | ||
Breite 15.8 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Wiederherstellung
Niedrigerer RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst dv/dt-unempfindlich
Zener-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin STWA75N65DM6 TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin STW75N65DM6-4 TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 3-Pin STWA65N023M9 TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 3-Pin STWA60N043DM9 TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin STW65N023M9-4 TO-247-4
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-247