STMicroelectronics STWA32N65DM6AG N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37 A, 4-Pin TO-247-4

RS Best.-Nr.:: 240-0614
Herst. Teile-Nr.:: STWA32N65DM6AG
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STWA32N65DM6AG N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37 A, 4-Pin TO-247-4

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Produktdetails

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Wiederherstellung
Niedrigerer RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst dv/dt-unempfindlich
Zener-geschützt

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	37 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247-4
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	4
Anzahl der Elemente pro Chip	1

STMicroelectronics STWA32N65DM6AG N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37 A, 4-Pin TO-247-4

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