Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 10.3 A 12.5 W, 8-Pin PXN6R2-25QLJ MLPAK33

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

7,625 €

(ohne MwSt.)

9,075 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.950 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 250,305 €7,63 €
50 - 750,299 €7,48 €
100 - 2250,234 €5,85 €
250 - 9750,23 €5,75 €
1000 +0,172 €4,30 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
240-1992
Herst. Teile-Nr.:
PXN6R2-25QLJ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

MLPAK33

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Kompatibel mit Logik-Ebene

Trench-MOSFET-Technologie

Extrem niedrige QG und QGD für hohe Systemeffizienz, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen

Superschnelles Schalten mit weicher Erholung

Geringes Spiking und Klingeln für geringe elektromagnetische Störungen

MLPAK33-Gehäuse (3,3 x 3,3 mm Abmessung)

Verwandte Links