Infineon ISK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 55 A 171 W, 6-Pin ISK036N03LM5 PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 240-6379
- Herst. Teile-Nr.:
- ISK036N03LM5
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 240-6379
- Herst. Teile-Nr.:
- ISK036N03LM5
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | ISK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie ISK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOSTM 5 Leistungs-MOSFET mit 30 V, 3,6 mΩ, kleinster Formfaktor im PQFN 2x2-Gehäuse. Mit der neuen BIC OptiMOSTM 5-in-25-V- und 30-V-Produktfamilie bietet Infineon eine erstklassige Lösung für Effizienz in einem kleinen Formfaktor und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen wie drahtloses Laden, Lastschalter und DC-DC-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. Das kleine 4-mm2-PQFN-2x2-Gehäuse in Kombination mit hervorragender elektrischer Leistung trägt zur Verbesserung des Formfaktors in Endanwendungen bei, da es einen niedrigen RDSon von 3,6 mΩ bietet.
Optimiert für höchste Leistung und Leistungsdichte
100 % Avalanchegeprüft
Überlegener Wärmewiderstand für 2x2-Gehäuse
N-Kanal
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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