- RS Best.-Nr.:
- 241-9265
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC040SMA120B
- Marke:
- Microchip
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- MSC040SMA120B
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- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C
chnell und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C
chnell und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 46 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Transistor-Werkstoff | SiC |
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