Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C chnell und zuverlässige Gehäusediode Überlegene Avalanche-Robustheit, RoHS-konform