Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9675
Herst. Teile-Nr.:
BSC066N06NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-MOSFET hat 60 V Ablassquellenspannung (VDS) und 64 A Ablassstrom (ID). Es ist optimiert für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktop-PCs sowie Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikro-Wechselrichter und schnellen DC/DC-Wandler.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. synchrone Gleichrichtung,

100 % Avalanche geprüft,

hervorragende Wärmebeständigkeit,

N-Kanal,

qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,

bleifreie Kabelbeschichtung,

RoHS-konform,

halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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