Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9676
Herst. Teile-Nr.:
BSC146N10LS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel hat 100 V Ablassquellenspannung (VDS) und 44 A Ablassstrom (ID). Die Leistungs-MOSFETs auf Logikebene eignen sich hervorragend für Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die niedrige Gate-Ladung des Geräts reduziert Schaltverluste ohne Kompromisse bei Leitungsverlusten. MOSFETs mit Logikpegel ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen und können aufgrund einer niedrigen Gate-Schwellenwertspannung direkt von Mikrocontrollern gesteuert werden.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. synchrone Gleichrichtung,

100 % Avalanche geprüft,

hervorragende Wärmebeständigkeit,

N-Kanal, Logikpegel,

bleifreie Kabelbeschichtung,

RoHS-konform,

halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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