Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

5,47 €

(ohne MwSt.)

6,51 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.980 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,094 €5,47 €
50 - 1200,876 €4,38 €
125 - 2450,824 €4,12 €
250 - 4950,768 €3,84 €
500 +0,712 €3,56 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
241-9677
Herst. Teile-Nr.:
BSC146N10LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 40 V maximale Drain-Source-Spannung – BSC146N10LS5ATMA1


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der zum Schalten und Leiten hoher Ströme in elektronischen Stromkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den RoHS-Anforderungen, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen und regulatorische Baugruppen eignet.

Merkmale und Vorteile:


• Niedrige Rds(on) von 0,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 381 A unterstützt hohe Strombelastungen
• Die Nennspannung von Vds 40 V ermöglicht robuste Niederspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme unter Last
• Gate-Ladung 80 nC für Leistungsanwendungen balanciert Antriebs- und Schaltgeschwindigkeit
• Die Gate-Source-Toleranz von 20 V schützt vor gemeinsamen Antriebsausbrüchen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Powerracks
• Ideal für Motortreiber, die eine dauerhafte Stromversorgung erfordern
• Wird für paralleles Schalten in der Server-Stromverteilung verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in industriellen Leistungsmodulen verwendet werden
• Geeignet für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten

Welche thermischen Extreme kann er im Betrieb tolerieren?


Er ist für Temperaturen von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und eignet sich für den Betrieb unter rauen thermischen Bedingungen.

Wie unterstützt das Gehäuse die automatisierte Leiterplattenmontage?


Das oberflächenmontierbare SuperSO8-MOSFET-Gehäuse im Format 5 x 6 mm ist mit Standard-Pick-and-Place- und Reflow-Prozessen kompatibel.

Wie hoch ist die typische Durchlassspannung während der Leitung?


Das Gerät weist unter Leitungsbedingungen eine Durchlassspannung von 1,1 V auf.

Welche Art von Kanal und Modus wird verwendet?


Es verwendet eine N-Kanal-Konfiguration, die im Enhancement-Modus arbeitet.

Ist diese Komponente für Lieferketten in Automobilqualität spezifiziert?


Er ist RoHS-konform, ist aber nicht als Automobilstandard ausgewiesen.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.