Infineon BSZ017NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 134 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat 25 V Ablassquellenspannung (VDS) und 134 A Ablassstrom (ID). Er bietet Referenzlösungen, indem er die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz sowohl im Standby- als auch im vollen Betrieb ermöglicht. Er verfügt über den besten Widerstand im eingeschalteten Zustand und hat einen breiten Einsatz in Desktop- und Serveranwendungen, Spannungsreglern mit hoher Leistungsdichte usw.

Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler,
monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode,
sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) @ VGS = 4,5 V,
100 % Avalanche geprüft,
N-Kanal,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Kabelbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21