Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

2.590,00 €

(ohne MwSt.)

3.080,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 18. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,518 €2.590,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
241-9696
Herst. Teile-Nr.:
BSZ018NE2LSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Kabelbeschichtung. Er ist für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand,

qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

Verwandte Links